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4月16日，三星宣布完成5nm FinFET工艺开发，台积电则推出了6nm（N6）工艺，都将利用EUV光刻，在2020年开始投产。
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根据协议内容，格芯将为安森美制造300mm 晶圆。同时安森美将转移并提升其功率分离式元件晶圆制造能力至格芯的Fab 10。在此期间，格芯将与客户密切合作，转移多种技术到德国德勒斯登、新加坡和马耳他的300mm的工厂，格芯将继续拥有和营运该设施。
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同时，南亚科再度下修今年资本支出，由原先的 106 亿元下调至 70 亿元，较去年大砍约 65.7%，而位元产出方面，今年初原先预期将年增 10-15%，也下调至幅成长或持平，但将投入 5-10% 的产能作为制程与产品研发使用。
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